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TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

  • 產(chǎn)品型號(hào)：MG75Q2YS50
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間：2024-01-19
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北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50  東芝1200V；75A 2單元IGBT模塊

日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元600V系列：
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